UBS: маржа Micron на обычной DRAM может достичь 95% в 2027 году
По оценке UBS, выпуск HBM пока приносит Micron меньшую валовую маржу, чем универсальная DRAM, хотя поставки высокоскоростной памяти быстро растут.
Универсальная DRAM может оставаться для Micron более прибыльным направлением, чем память HBM для ИИ-ускорителей. Как пишет Wccftech со ссылкой на исследование UBS, валовая маржа Micron в этом сегменте способна вырасти до 95% в 2027 году и держаться около 93% большую часть 2028-го.
Согласно приведённым данным, в 2025 году валовая маржа Micron на универсальной DRAM увеличилась с 44% до 50%, а в начале 2026 года достигла 80%. Для HBM UBS прогнозирует 75–78% валовой маржи в 2027 году.
Разница связана с особенностями производства HBM. Такая память собирается из нескольких уложенных друг на друга кристаллов DRAM, что усложняет выпуск, влияет на выход годной продукции и повышает затраты. Кроме того, изготовление HBM требует больше ресурсов DRAM при том же объёме пластин, сокращая доступные мощности для обычной памяти.
При этом UBS ожидает быстрого расширения HBM-бизнеса Micron: квартальные поставки, по его оценке, вырастут с 0,1 эксабайта в начале 2025 года до 0,43 эксабайта к концу 2027-го. Таким образом, компания продолжает наращивать выпуск HBM, несмотря на более высокую краткосрочную доходность массовой DRAM.