TSMC начнёт внедрять High-NA EUV в массовом производстве в 2030 году
Сначала компания будет использовать новые литографические сканеры с нынешними фотошаблонами размером 6×6 дюймов. Пилотную линию для формата 6×12 дюймов TSMC рассчитывает запустить годом позже.
TSMC планирует начать применять литографию High-NA EUV в массовом производстве в 2030 году. Об этом сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на заявление компании. Техпроцесс, на котором впервые появится новая технология, TSMC пока не назвала.
На первом этапе речь идёт о системах High-NA EUV с фотошаблонами формата 6×6 дюймов. В 2031 году TSMC намерена создать пилотную линию, рассчитанную на увеличенные фотошаблоны 6×12 дюймов, а к 2033 году — внедрить такую схему в производство по передовым техпроцессам.
High-NA EUV использует оптику с числовой апертурой 0,55. По данным Tom’s Hardware, такие сканеры обеспечивают разрешение 8 нм за одну экспозицию, тогда как у нынешних Low-NA EUV-систем этот показатель составляет 13 нм. Однако при работе с привычными фотошаблонами 6×6 дюймов поле экспозиции у High-NA EUV вдвое меньше, чем у Low-NA EUV. Это усложняет выпуск очень крупных кристаллов: производителю приходится либо сшивать несколько полей экспозиции, либо переходить на многокристальные компоновки.
Для перехода на фотошаблоны 6×12 дюймов TSMC сотрудничает с ASML. Изменение формата потребует адаптировать не только сами литографические установки, но и ПО для проектирования, оборудование для изготовления и записи масок, а также системы их обработки.
Какая технология станет первой для High-NA EUV, остаётся неизвестным. Tom’s Hardware предполагает, что наиболее вероятными кандидатами выглядят A10 или A11, но это не подтверждённые TSMC планы. Известно, что техпроцессы A12 и A13, ожидаемые в 2029 году, продолжат использовать обычную EUV-литографию.