СМИ: Samsung направила до 60% 4-нм мощностей на базовые кристаллы HBM4
По данным ZDNet Korea, которые пересказывает Wccftech, базовые кристаллы для памяти HBM4 занимают от 50% до 60% выпуска Samsung по 4-нм техпроцессу. Речь идёт не о самих DRAM-стеках, а о логическом кристалле в их основании.
Samsung Electronics, как сообщает ZDNet Korea со ссылкой на источники внутри и вне компании, выделила более половины 4-нм производственных мощностей под выпуск базовых кристаллов для памяти HBM4. По данным издания, эти заказы обеспечивают от 50% до 60% производства на 4-нм линии, работающей на полной загрузке.
Базовый кристалл располагается в основании многослойного стека HBM и отличается от самих DRAM-модулей. Для его выпуска применяют логические техпроцессы, тогда как DRAM-слои изготавливаются по специализированным технологиям. Переход к использованию передовых логических процессов для таких кристаллов начался с поколений HBM3 и HBM3E, которым потребовались более высокие скорости передачи данных и работы выводов.
В материале говорится, что Samsung выпускает продукцию по техпроцессам от 4 до 7 нм на площадках Pyeongtaek Campus 2 и Campus 3, задействуя фабричные линии S4 и S6. Совокупная мощность 4-нм производства на этих площадках оценивается в 30 тыс. кремниевых пластин в месяц; около 15 тыс. пластин из этого объёма приходится на базовые кристаллы HBM4.
Ранее ZDNet Korea также сообщал, что Samsung рассматривала использование 2-нм техпроцесса для базовых кристаллов HBM. По тем данным, компания могла переоборудовать линию в промышленном районе Гихын, а 2-нм решения потенциально предназначались бы для чипов NVIDIA. Эта информация, как и сведения о текущем распределении 4-нм мощностей, основана на данных источников СМИ.