SK hynix показала планы по 3D-интеграции HBM и упомянула Intel EMIB
На Hot Chips 2026 компания рассказала, как собирается решать проблемы тепловыделения и плотности соединений в следующих поколениях HBM. В доступном пересказе Wccftech не названы конкретный продукт SK hynix с EMIB, сроки или детали его применения.
SK hynix на конференции Hot Chips 2026 представила подход к развитию упаковки памяти HBM. Компания рассматривает гибридное соединение кристаллов для стеков выше 16 слоёв, а в более отдалённой перспективе — трёхмерную интеграцию, при которой HBM будет размещаться поверх ускорителя.
Сейчас HBM собирается из нескольких DRAM-кристаллов, соединённых с базовым кристаллом через TSV — сквозные кремниевые переходы. Сам стек памяти и GPU остаются отдельными чипами, установленными на общем кремниевом интерпозере в 2.5D-корпусе. По данным презентации, существующая конструкция HBM допускает стек до 16 кристаллов.
Рост числа TSV, высоты стека и пропускной способности создаёт две основные проблемы: энергопотребление и отвод тепла. SK hynix ожидает, что удвоение пропускной способности раз в два поколения создаёт для нынешних процессов и технологий упаковки тепловую нагрузку в 2,2 раза выше. Кроме того, площадь, занимаемая TSV, продолжает расти, даже если шаг между ними уменьшается.
В качестве следующего шага компания рассматривает гибридное соединение кристаллов. По приведённым SK hynix данным, оно позволяет уменьшить тепловое сопротивление на 30% благодаря более высокой теплопроводности и перейти к более плотному шагу соединений. Для будущих продуктов компания также планирует наращивать число TSV и скорость ввода-вывода, а проблемы питания решать за счёт более тесной интеграции с логическими техпроцессами и распределённых силовых TSV.
В презентации сравнивались и два нынешних подхода к сборке HBM: термокомпрессионное соединение с непроводящей плёнкой и массовая пайка с формованным компаундом. Первый вариант лучше противостоит деформации кристаллов, но отличается более высоким тепловым сопротивлением и меньшей производительностью. Второй упрощает массовое производство и лучше отводит тепло, однако чувствительнее к деформации и сложнее при заполнении зазоров.
Отдельный слайд, посвящённый 2.5D-упаковке, перечисляет Intel EMIB рядом с CoWoS-L, CoWoS-R и CoWoS-S. Из представленных материалов следует, что SK hynix оценивает влияние разных технологий упаковки на память и интерпосер. В пересказе слайда Wccftech не указаны конкретный продукт SK hynix с EMIB или сроки его применения.
Для HBM4 SK hynix указала скорость ввода-вывода до 8 Гбит/с и пропускную способность свыше 2 ТБ/с. В материалах также говорится о стеках высотой 12 кристаллов в производстве и 16-кристальных стеках, проходящих квалификацию.