SK hynix начала проект площадки по упаковке HBM в Индиане
Компания провела церемонию начала строительства предприятия в Уэст-Лафейете. Серийную упаковку памяти HBM следующего поколения там рассчитывают запустить во второй половине 2029 года.
SK hynix провела церемонию начала строительства американской площадки для работы с памятью HBM в Уэст-Лафейете, штат Индиана. Предприятие будет заниматься передовой упаковкой и тестированием HBM, а также исследованиями и разработками. По данным Tom’s Hardware, объём инвестиций составит около 4 млрд долларов.
Компания планирует ввести чистые помещения в эксплуатацию к октябрю 2028 года, а во второй половине 2029-го начать серийный выпуск HBM следующего поколения. После выхода на коммерческий режим площадка должна обеспечить около 1000 рабочих мест.
При этом в Индиане не будут производить сами DRAM-пластины. На предприятии будут собирать HBM-стеки из DRAM, изготовленной в Южной Корее, и базовых кристаллов, которые могут выпускаться в Южной Корее, на Тайване или в США. Получившиеся продукты SK hynix намерена позиционировать как свою первую HBM-память следующего поколения американского производства.
Рядом с производственными линиями компания также создаст испытательную площадку для исследований в области передовой упаковки. Она должна использоваться для совместной работы с заказчиками, университетами и коммерческими партнёрами, создания прототипов и проверки их характеристик и пригодности к производству.
Кроме того, SK hynix подписала меморандум о взаимопонимании с Университетом Пердью. Стороны планируют совместные исследования системной интеграции, передовой упаковки и технологий HBM.