Intel обработала свыше миллиона пластин на High-NA EUV
Рубеж достигнут менее чем за два с половиной года после сборки первого сканера. Компания также прорабатывает фотошаблоны формата 6×12 дюймов, которые могут избавить крупные кристаллы от сшивки полей экспонирования.
Intel сообщила, что обработала более миллиона 300-мм кремниевых пластин на литографических сканерах High-NA EUV. В это число входят пластины, использованные при установке и сертификации оборудования, в исследованиях и разработке, а также в производстве. Сборка первого такого инструмента у компании завершилась менее двух с половиной лет назад.
Ранее в этом году Intel сертифицировала применение High-NA EUV для техпроцесса Intel 18A. По данным Tom’s Hardware, эти установки уже задействованы в выпуске части процессоров Panther Lake. В парке компании есть два сканера ASML Twinscan EXE:5000 и как минимум один EXE:5200B.
High-NA EUV использует оптику с числовой апертурой 0,55 и анаморфное увеличение 4×/8×. При стандартном фотошаблоне 6×6 дюймов такой сканер экспонирует поле примерно 26×16,5 мм — вдвое меньше привычного поля 26×33 мм у EUV-систем с апертурой 0,33. Поэтому для больших чипов приходится разбивать рисунок на два участка и точно совмещать их на пластине.
Такой метод называют сшивкой полей. Он снижает производительность: для EXE:5200B источник приводит оценку в 125 пластин в час против 175 без сшивки. Кроме того, при совмещении возникают дополнительные требования к проектированию кристалла и точности наложения слоёв: ошибки на границе полей могут привести к дефектам и ухудшению выхода годных чипов.
Чтобы экспонировать полное поле 26×33 мм за один проход, Intel работает над фотошаблонами увеличенного формата 6×12 дюймов. Однако переход потребует изменений во всей цепочке производства и обслуживания фотошаблонов — от заготовок, нанесения покрытий и травления до инспекции, очистки, защитных пелликул, устройств записи и систем транспортировки. Модифицировать или переработать придётся и сами сканеры.
ASML и Intel не подтверждали, можно ли адаптировать уже поставленные или запланированные High-NA EUV-установки под более крупные шаблоны. Согласно приведённой Tom’s Hardware дорожной карте ASML, будущие системы High-NA EUV до и после 2033 года рассчитаны на ретикулы 6×6 дюймов и применение сшивки.