Intel: число дефектов при освоении техпроцесса 14A снижается быстрее плана
По словам финансового директора Intel Дэвида Зинснера, текущая динамика устранения дефектов у техпроцесса класса 1,4 нм стала лучшей со времён 22-нм производства. Рисковый выпуск собственных продуктов на 14A компания намерена начать во второй половине 2027 года.
Intel опережает собственный план по снижению плотности дефектов при разработке техпроцесса 14A. Об этом на технологической конференции Deutsche Bank заявил финансовый директор компании Дэвид Зинснер. По его словам, дефекты сокращаются быстрее, чем предполагала целевая кривая Intel для этого этапа разработки.
Зинснер назвал нынешнюю динамику лучшей со времён 22-нм техпроцесса Intel, который компания считает одним из наиболее удачных в своей истории. Однако это сравнение относится именно к темпу снижения числа дефектов на сопоставимой стадии освоения технологии, а не к прямому сопоставлению абсолютных показателей 14A и 22 нм.
Такое сопоставление имеет ограничения: методы обработки и инспекции пластин за прошедшие годы изменились, поэтому критерии учёта дефектов могли отличаться. Кроме того, плотность дефектов сама по себе не равна выходу годных кристаллов.
Intel планирует начать рисковое производство собственных продуктов по нормам 14A во второй половине 2027 года, а массовый выпуск — в 2028-м. Технология должна использовать транзисторы RibbonFET второго поколения с круговым затвором и систему подвода питания с обратной стороны кристалла PowerDirect второго поколения, а также сможет использовать литографию High-NA EUV.
По словам Зинснера, внутренние подразделения Intel уже проектируют продукты для 14A. Одновременно изменился характер переговоров с внешними заказчиками Intel Foundry: они, как утверждает CFO, перешли от изучения технических данных к обсуждению доступных объёмов производства и поставок мощностей.