CXMT, по данным СМИ, начала пробное производство памяти HBM3E
Китайский производитель DRAM тестирует выпуск высокоскоростной памяти для ИИ-ускорителей. Её образцы, как сообщается, уже оценивают разработчики процессоров T-Head и Cambricon.
Китайская ChangXin Memory Technologies (CXMT) начала пробное производство памяти HBM3E, сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на The Information. Официального подтверждения от самой CXMT в опубликованном материале нет.
Речь идёт не о серийном выпуске, а о стадии risk production. Характеристики HBM3E от CXMT пока не раскрыты; они могут отличаться от параметров будущих коммерческих продуктов.
По данным издания, память CXMT уже оценивают несколько китайских разработчиков передовых процессоров, в том числе T-Head, входящая в Alibaba Group, и Cambricon Technologies. Если испытания и квалификация пройдут по плану, компании могут начать применять эти чипы в коммерческих продуктах уже в следующем году.
HBM — многослойная память с высокой пропускной способностью, один из ключевых компонентов современных ИИ-ускорителей. Её выпуск требует не только производства DRAM-кристаллов, но и технологий вертикального соединения кристаллов, корпусирования, отвода тепла и тестирования.
Tom’s Hardware отмечает, что CXMT пока остаётся на поколение позади большой тройки производителей памяти, которые уже серийно выпускают HBM4. При этом HBM3E остаётся актуальным поколением памяти для производительных ускорителей, а её локальное производство потенциально может сократить зависимость китайских разработчиков от Micron, Samsung и SK hynix.