CXMT обещает серверные DDR5-модули на новой архитектуре памяти до конца года
Первым продуктом китайского производителя с ячейками DRAM площадью 4F² должен стать серверный модуль DDR5 RDIMM. Его характеристики и объёмы выпуска пока не раскрыты.
Китайский производитель памяти CXMT рассчитывает до конца года выпустить свой первый продукт на основе DRAM-ячеек архитектуры 4F² — серверный модуль DDR5 RDIMM. Об этом, как сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на выступление президента компании Цао Каньюя, он заявил на конференции Integrated Chips and Chiplets Conference.
Главная особенность технологии — вертикальные транзисторы в ячейках памяти. По описанию CXMT, такая компоновка позволяет сократить площадь ячейки примерно на треть по сравнению с нынешней схемой 6F² при одинаковых проектных нормах. В собственной реализации, названной Vertical Surrounded Gate (VSG), канал транзистора расположен вертикально, а затвор окружает его. Компания утверждает, что это улучшает управление транзистором и снижает утечки.
При этом параметры будущего RDIMM остаются неизвестными: CXMT не назвала ни частоту, ни ёмкость модулей, ни используемый техпроцесс, ни планируемые объёмы производства. Официального сообщения о продукте в китайском и англоязычном разделах новостей компании, по данным Tom’s Hardware, на момент публикации не было.
CXMT занимается разработкой 4F² DRAM не первый год. По словам Цао, у компании опубликовано более 300 семейств патентов, связанных с этой технологией. Ранее она представляла исследовательский полноразмерный массив памяти ёмкостью 8 Гбит на IEDM 2023.
Переход к более плотной компоновке DRAM изучают и другие крупные производители. Tom’s Hardware указывает, что Samsung в феврале описала 16-гигабитный проект 4F² DRAM с вертикальными канальными транзисторами, а SK hynix рассказывала о платформе с вертикальным затвором и 3D DRAM. Однако заявление CXMT касается именно планируемого коммерческого серверного DDR5-модуля, а не исследовательского образца.